مؤسسه فیزیک ریزساختار از زیرمجموعه آکادمی علوم روسیه نقشه راه بلندمدت خود را برای توسعه ابزارهای لیتوگرافی فرابنفش شدید (EUV) ارائه کرده است تا این کشور را به لیست کشورهای تولیدکننده تراشه‌های پیشرفته اضافه کند.
به گزارش Tom's Hardware، پروژه جدید از سال آینده میلادی با استفاده از فرایند ۴۰ نانومتری آغاز خواهد شد و تا سال ۲۰۳۷ ادامه می‌یابد. این پروژه همچنین ساخت تراشه با فرایند زیر ۱۰ نانومتر را نیز شامل می‌شود. این نقشه راه جدید نسبت به برخی نقشه‌های قبلی واقعی‌تر به نظر می‌رسد، بااین‌حال هنوز شک و تردیدهای زیادی درباره اجرایی‌شدن آن وجود دارد.
اولین نکته‌ای که در این نقشه راه جلب‌توجه می‌کند، اجتناب از تکرار معماری ابزارهای شرکت ASML در توسعه سیستم‌های پیشنهادی EUV است. برنامه روسیه در عوض بر استفاده از مجموعه‌ای کاملاً متفاوت از فناوری‌ها از جمله لیزرهای حالت جامد هیبریدی، منابع نور مبتنی بر پلاسما زنون، و آینه‌هایی ساخته‌شده از روتنیوم و بریلیم (Ru/Be) که نور را در طول موج ۱۱.۲ نانومتر بازتاب می‌دهند، تمرکز دارد.
انتخاب زنون به‌جای قطرات قلع که در ابزارهای EUV شرکت ASML استفاده می‌شود، از ایجاد ذرات زائد که به فوتوماسک‌ها آسیب می‌رسانند، جلوگیری می‌کند و باعث می‌شود هزینه نگهداری به میزان قابل‌توجهی کاهش یابد. در همین حال، در مقایسه با ابزارهای فرابنفش ژرف (DUV) شرکت ASML، این سیستم‌ها با پیچیدگی کمتری طراحی شده‌اند تا از به‌کارگیری مایع‌های فشار بالا برای غوطه‌وری و ثبت الگو در چند مرحله برای گره‌های پیشرفته اجتناب شود.
نقشه راه جدید روسیه شامل ۳ مرحله اصلی است:
هدف این برنامه خودکفایی روسیه در زمینه تراشه‌ها است، اما اجرایی شدن آن به عوامل مختلفی بستگی دارد.
