به گزارش ایسنا، محققان دانشگاه ملی سئول و دانشگاه سونگ کیونکوان به تازگی روشی برای رشد آرایه‌های نیترید گالیم بر روی یک لایه گرافن انعطاف‌پذیر ارائه کرده‌اند. این ساختار که به آرایه‌های میکرودیسک شهرت دارد، از بلورینگی عالی برخوردار بوده و با جهت‌گیری یکنواخت درون صفحه، تابش نور آبی قوی را از خود نشان می‌دهند.
محققان میکرودیسک‌های GaN را روی یک لایه گرافن (که روی یک بستر یاقوت کبود قرار دارد) تثبت کردند؛ لایه‌ای که با یک ماسک SiO2 با الگوی ریز با استفاده از اپیتاکسی فاز بخار آلی‌فلزی پوشانده شده است. این میکرودیسک‌ها در ادامه به میکروال‌ای‌دی تبدیل شده و سپس با موفقیت به روی بسترهای قابل انعطاف منتقل شدند.
این تحقیق نشان داد که امکان رشد ال‌ای‌دی‌های با کیفیت بالا بر روی گرافن و سپس ادغام آن در دستگاه‌های میکرو ال‌ای‌دی انعطاف‌پذیر وجود دارد.
