سامسونگ رویداد SAFE Forum 2026 خود را در کره جنوبی برگزار کرد. این شرکت در جریان رویداد مذکور، از دو فرایند جدید ساخت نیمه‌رسانا ۲ نانومتری، یک گره فرایندی ۱.۴ نانومتری جدید و نقشه راه تولید انبوه فناوری‌های تولیدی آینده خود رونمایی کرد.

«شین جونگ-شین»، معاون اجرایی دفتر توسعه پلتفرم طراحی سامسونگ فاندری، در جریان این رویداد اعلام کرد که توسعه فرایند SF1.4 (اولین نسل از فرایند ۱.۴ نانومتری سامسونگ) به خوبی درحال پیشرفت است. این شرکت برنامه‌ریزی کرده تا تولید انبوه تراشه‌های مبتنی بر این فرایند را در سال ۲۰۲۹ آغاز کند. او همچنین اعلام کرد که سامسونگ از هم‌اکنون درحال توسعه نسل دوم فرایند ۱.۴ نانومتری خود یعنی SF1.4+ است و تولید انبوه آن برای شروع در سال ۲۰۳۰ زمان‌بندی شده است.

پردازنده اختصاصی اگزینوس ۲۶۰۰ سامسونگ که در گوشی‌های گلکسی S26 و گلکسی S26 پلاس بازارهای منتخب استفاده می‌شود، نخستین تراشه ساخته‌شده با فرایند SF2 (نسل اول ۲ نانومتری) این شرکت بود. جانشین آن یعنی اگزینوس ۲۷۰۰ که انتظار می‌رود در سال ۲۰۲۷ همراه با گلکسی S27 و گلکسی S27+ معرفی شود، بر پایه فرایند SF2P (نسل دوم ۲ نانومتری) توسعه خواهد یافت.

به گفته شین، مهاجرت از فرایند SF2 به فرایند SF2P تا ۱۵ درصد فرکانس کاری بالاتر و ۲۶ درصد بهره‌وری انرژی بهتر را به ارمغان می‌آورد. او اشاره کرده که بیش از نیمی از این دستاوردها ناشی از رویکرد بهینه‌سازی هم‌زمان طراحی و فناوری است که در آن طراحی تراشه و فرایند ساخت به‌طور هم‌زمان و با همکاری شرکای طراحی تراشه و ابزارهای اتوماسیون طراحی الکترونیکی بهینه‌سازی می‌شوند.

سامسونگ در ابتدا قصد داشت تولید انبوه تراشه‌های ۱.۴ نانومتری را در سال ۲۰۲۷ آغاز کند. بااین‌حال، این شرکت برنامه‌های خود را به مدت دو سال به تعویق انداخت تا بتواند روی بهبود بازدهی فرایند ۲ نانومتری خود تمرکز کند. در مقام مقایسه، انتظار می‌رود اینتل تولید تراشه‌ها را در فرایند 14A خود (که تقریباً معادل کلاس ۱.۴ نانومتری است) در سال ۲۰۲۷ آغاز کند، درحالی‌که پیش‌بینی می‌شود فرایند ۱.۴ نانومتری TSMC در سال ۲۰۲۸ وارد مرحله تولید انبوه شود.

غول فناوری کره همچنین اعلام کرده که درحال توسعه فرایندهای فناوری SF2P+ و SF2X به‌عنوان نسل‌های سوم و چهارم لیتوگرافی ۲ نانومتری خود است. فرآیند SF2X به‌طور ویژه برای تراشه‌های محاسباتی با کارایی بالا طراحی شده است. انتظار می‌رود تولید انبوه با استفاده از هر دو فناوری SF2P+ و SF2X بین سال‌های ۲۰۲۷ و ۲۰۲۸ آغاز شود.